HTpicts高温少子寿命测量系统HTpicts专用于宽禁带半导体中的少子寿命和深能级缺陷检测，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。（涵盖瞬态模式μPCD、稳态模式MDP、微波光电导等方法，符合SEMIPV9-1110半导体标准）碳化硅|氧化镓|氮化铝|氮化镓｜金刚石｜等[SiC|Ga₂O₃｜AIN|GaN|Diamond

MDpictspro高分辨率变温少子寿命测试仪用于生产和研究实验室应用的MDpictspro（高分辨率变温少子寿命测试仪系统）。全自动设备，以非接触、无破坏方式绘制材料的电输运特性。一般来说，MDpictspro系统能够适用于各种不同材料和制备阶段的测量，范围从硅原料、裸晶圆到不同的制备阶段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半导体，可以研究电

MDpicts温度依赖型寿命测试系统MDpicts温度依赖型寿命测试系统该设备可对材料电学特性进行非接触、无损伤的单点测量。总体而言，MD-PICTS设备适用于多种材料及不同制备阶段的测量，涵盖硅原料、裸片、各类中间制备阶段样品，以及砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等化合物半导体。该系统可检测电阻率高于0.3Ωcm的单晶硅与多晶硅，核心聚焦缺陷、少子寿命及光电导的温度依赖型测量

用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms（样品电阻率>0.3Ohmcm）SEMI标准PV9-1110测试速度线扫描<30s完整的面扫秒<5min同时测量寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率直拉硅单晶硅锭中的滑移线自动几

特征电阻率的非接触式测量和成像高频涡流传感原理与集成红外温度传感器可校正样品的温度变化信号灵敏度基于线圈频率读数（正在申请专利）的高信号灵敏度，可实现准确可靠的电阻率测量，并具有高再现性和可重复性测量时间测量时间<3s，测量之间时间<1s测量速度200mm晶圆/晶锭<30s，9个点多点测量及测绘显示最高9999个点材料外形尺寸平坦或略微弯曲的晶圆、晶锭、锭板、毛坯和薄膜X-Y

特性灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的高分辨率测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率，小于5分钟寿命测试范围:20纳秒到几十毫秒沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合可靠性：模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间>99%重现性：>99.5%电阻率：无需

桌面单点测量低成本的台式少子寿命测量系统，对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。没有内置自动化。可选配手动z轴，用于厚度在156毫米以下的晶锭。MDPspot可配电阻率测试选项。仅适用于硅，用于晶圆片，也可用于晶锭。结果可视化的标准软件。特性无接触和非破坏的电学参数测试对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有高分辨的可视化测试对于不同级别晶圆片，提供不同的菜单选项优势用于不同制备阶段，从成体到最

MDPinlineingot系统是一种多晶硅晶锭电学参数特性测量工具。它是专为高通量工厂的单块晶锭测试而研发的。每块晶锭可以在不到一分钟时间里测量其四面。所有的图谱(寿命，光电导率，电阻率)都是同时测量的。该系统包括一个数据库和统计数据评估，可用于自动确定精确的切割位置，以提高成品率。用于材料质量监控，炉选择和工艺改进。性能无接触破坏的半导体特性少数载流子寿命的检测能力Automateddet