用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征直拉硅单晶硅锭中的滑移线寿命范围20ns至100ms（样品电阻率>0.3Ohmcm）SEMI标准PV9-1110测试速度线扫描<30s完整的面扫秒<5min同时测量寿命μPCD/MDP（QSS）和电阻率直拉硅单晶硅锭中的滑移线自动几

特征电阻率的非接触式测量和成像高频涡流传感原理与集成红外温度传感器可校正样品的温度变化信号灵敏度基于线圈频率读数（正在申请专利）的高信号灵敏度，可实现准确可靠的电阻率测量，并具有高再现性和可重复性测量时间测量时间<3s，测量之间时间<1s测量速度200mm晶圆/晶锭<30s，9个点多点测量及测绘显示最高9999个点材料外形尺寸平坦或略微弯曲的晶圆、晶锭、锭板、毛坯和薄膜X-Y

MDpicts微波探测光诱导电流瞬态谱仪图1.与温度有关的载流子发射瞬态灵敏度：半导体材料电学缺陷分析的高灵敏度温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度衰减常数范围：20纳秒到几毫秒沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等重复性：>99.5%，测量时间：<60分钟。液氮消耗：2升/次灵活性：从365nm到1

特性灵敏度：对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有可视化测试的高分辨率测量速度：6英寸硅晶圆片，1mm分辨率，小于5分钟寿命测试范围:20纳秒到几十毫秒沾污检测：源自坩埚和生长设备的金属(Fe)污染测量能力：从初始切割的晶圆片到所有工艺加工的样品灵活性：允许外部激光通过触发器，与探测模块耦合可靠性：模块化和紧凑台式仪器，更高可靠性，正常运行时间>99%重现性：>99.5%电阻率：无需

桌面单点测量低成本的台式少子寿命测量系统，对不同制备阶段的硅材料电学参数进行表征。没有内置自动化。可选配手动z轴，用于厚度在156毫米以下的晶锭。MDPspot可配电阻率测试选项。仅适用于硅，用于晶圆片，也可用于晶锭。结果可视化的标准软件。特性无接触和非破坏的电学参数测试对外延工艺监控和不可见缺陷检测，具有高分辨的可视化测试对于不同级别晶圆片，提供不同的菜单选项优势用于不同制备阶段，从成体到最

MDPinlineingot系统是一种多晶硅晶锭电学参数特性测量工具。它是专为高通量工厂的单块晶锭测试而研发的。每块晶锭可以在不到一分钟时间里测量其四面。所有的图谱(寿命，光电导率，电阻率)都是同时测量的。该系统包括一个数据库和统计数据评估，可用于自动确定精确的切割位置，以提高成品率。用于材料质量监控，炉选择和工艺改进。性能无接触破坏的半导体特性少数载流子寿命的检测能力Automateddet

MDPinline是一种用于快速定量测量载流子寿命并集成扫描功能的检测仪。通过工厂安装的传送带将晶圆片移至仪器，在不到一秒的时间内，就可以“动态”测量出晶圆图。该仪器本身不使用机械运动部件，因此在连续操作下也非常可靠。它为每个晶圆片提供完整的拓扑结构，这为提高生产线的成本效益和效率提供了新的途径。例如，在不到3个小时的时间内，对10000个晶圆片的拓扑结构进行自动统计评

根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD/MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验产量：>240块/天或>720片/天测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟良品率提升：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶