HTpicts
高温少子寿命测量系统

HTpicts专用于宽禁带半导体中的少子寿命和深能级缺陷检测，用于宽禁带材料在高温区间的非接触、无损伤的温度依赖型测量，涵盖少子寿命、电学特性表征及深能级缺陷研究。（涵盖瞬态模式μPCD、稳态模式MDP、微波光电导等方法，符合SEMI PV9-1110 半导体标准）
碳化硅 |氧化镓|氮化铝 | 氮化镓｜金刚石｜等
[ SiC |Ga₂O₃｜AIN | GaN | Diamond ]and more
 
核心优势：

专用于宽禁带和超宽禁带材料深能级缺陷测量
深能级缺陷研究的高温条件
针对各类材料的定制化激光集成方案
全自动温度调节测量

技术规格

变温范围	300 ~ 800K
样品尺寸	最大20 x 20 mm晶圆片
电阻率	≥0.3 Ohm cm
导电类型	P型、N型
少子寿命范围	20 ns – 100 ms
可检测性能	寿命、光电导率、活化能等
激发	355 – 1550 nm
软件功能：	瞬态数据可视化、温度依赖关系可视化，支持峰值分析（含激活能、俘获截面计算）、数据导出功能、打印菜单等功能
注：本产品所有信息可能会根据最新的研究和开发进行技术更改，恕不另行通知。

应用案例：

磷化铟（InP）中缺陷能级的研究
微波探测光电导瞬态谱（HT-PICTS）是表征磷化铟中缺陷能级的理想方法。例如，针对磷化铟（InP）的研究表明，退火过程会改变材料中的缺陷浓度，而这一变化或许会对其电性能分布产生影响。
未处理样品的缺陷浓度取决于其在晶体中的位置，而晶圆退火处理后的样品则呈现出一组统一的缺陷能级。图1对比了取自晶体不同位置的掺杂铁元素半绝缘磷化铟样品，这些样品的特征缺陷能级存在差异。含铁磷化铟样品中观测到的特征谱峰，首次证实了铁在磷化铟中可作为复合中心发挥作用。
微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）
用于研究半导体中的缺陷，温度依赖型方法（类似深能级瞬态谱-DLTS）已被广泛应用。