铁含量的准确测定是非常重要的，因为铁是硅中含量最丰富也是最有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，并具有非常高的分辨率，最好是在线测量。使用德国FreibergMDPingot和MDPmap系列，可以全自动测量晶锭和晶片中的铁浓度，并具有高分辨率。铁硼对解离前后的寿命测量是硅片铁含量测定中广泛应用的方法。在高掺杂浓度的硼掺杂硅中，当它用于光伏应用时，几乎100%的电活性铁以F

德国FreibergMDP非常适合以下两种方法，一是通过测量取决于注入量的少数载流子寿命来进行缺陷调查，二是用于在线测量的晶圆甚至晶锭的图形化。它在灵敏度、分辨率和速度方面超过了µPCD(微波检测光导衰减)和QSSPC(准稳态光导)。利用矩形激光脉冲激发前后的微波吸收，测量了与扩散长度密切相关的光电导率。图1显示了德国FreibergMDP和MD-PICTS测量的测量原理。图1.能

几年来，微电子行业正计划将晶圆片直径从300毫米(12英寸)扩大到450毫米(18英寸)，以获得更高的成品率。现在已经有了生产这种高质量晶圆片的技术，但只有调整晶圆厂的成本问题，仍然无法转移到更大的晶圆尺寸。这些450毫米晶圆片还需要检查外部和内部杂质，因此需要高度空间分辨寿命测量。在与FraunhoferIISB的合作中，FreibergInstruments在EC资助的SEA4KET项目中

电阻率是材料最重要的电参数之一。它是半导体器件(如太阳能电池)性能的关键参数，并取决于材料的掺杂密度。因此，为了检测掺杂密度的不均匀性，需要对电阻率进行高精度、高分辨率的测量。使用德国freibergMDPmap和MDPingot，可以通过涡流测量高精度和分辨率为1毫米的方式来测量晶圆片或晶块的电阻率。由于距离相关的内部校准矩阵，涡流传感器有一个非常好的长期稳定性。因此，每一个电阻率图都是测量

我们新的MDP方法可以研究各种半导体材料、器件和介质材料的电性能和缺陷。MDP是一种接触少、无破坏的方法，因此不需要样品制备。唯一的例外是对于大体积样品性质的研究，这时硅样品的表面钝化是必要的。样品的形状和尺寸没有限制，从纳米材料粉末到12英寸晶圆样品都适用。显然，市场上所有的半导体都可以被检测。从各种电子级和多晶硅开始，由于它的高灵敏度，甚至可以表征薄外延层和变形硅的质量。对砷化镓、InP、

近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某一器件的最佳性能。为了制造出最高成品率的SiC器件，需要一种具有高分辨率的材料表征方法，以及一种研究SiC缺陷来源的方法，以进一步提高SiC器件的质