在光伏与微电子产业高速发展的今天，半导体材料的质量控制已成为决定产品良率与成本的核心要素。传统电学表征技术因需接触式电极制备，存在破坏样品、空间分辨率低、难以适应产线节奏等痛点。FreibergInstruments公司凭借其革命性的微波检测技术——微波探测光导率（MDP）与微波探测光诱导电流瞬态谱（MDPICTS），正在全球半导体材料分析领域掀起技术革新浪潮。一、技术

随着半导体器件结构向多层化、薄层化发展，传统载流子寿命检测技术已难以满足精度需求。固定激发深度的测量方法无法区分表面重组效应与体材料/界面缺陷，导致工艺优化缺乏针对性指导。FreibergInstruments公司在相关期刊发表的突破性研究表明，其新型微波检测光电导率系统（MDP）通过可编程脉冲激光激发与深度关联算法，首次实现5-300μm范围内缺陷分布的三维可视化(图1)。图1.厚度为

在能源产业蓬勃发展的当下，追求更高效率的太阳能电池成为行业核心目标。而这其中，表面钝化技术的优劣起着决定性作用。要深入理解和优化表面钝化，精准测量固定电荷和界面缺陷密度这两个关键参数至关重要。为大家介绍一项引领行业变革的创新技术——基于微波探测光电导衰减法（MDP）的BiasMDP技术，这一技术在实验测量环节，FreibergInstruments公司的MDPmap型号

在半导体器件性能参数中，少数载流子寿命占据核心地位，尤其在SiC应用于高压器件时，其对整体性能起着决定性作用。通过控制载流子寿命，能显著提升器件在不同场景下的表现。然而，4H-SiC外延层中，载流子寿命受多种复杂因素制约，外延层表面、与衬底的界面、外延层自身以及衬底都会影响载流子复合。同时，测量条件的差异，如激发波长和强度的变化，也会干扰有效载流子寿命的准确测定。这使得精准把握载流子寿命变得极

在半导体材料的研究与应用中，缺陷表征至关重要。特别是在中子嬗变掺杂（NTD）硅的处理过程中，了解其辐射诱导缺陷对于优化退火条件、提升材料性能意义非凡。FreibergInstruments公司的微波探测光致电流瞬态光谱法（MDPICTS）技术（如图1），为这一领域带来了新的突破，展现出诸多传统技术难以企及的优点。NTD硅，因能实现极低的电阻率变化，在大面积辐射探测器制造中占据重要地位。然而，掺

铁含量的准确测定是非常重要的，因为铁是硅中含量最丰富也是最有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，并具有非常高的分辨率，最好是在线测量。使用德国FreibergMDPingot和MDPmap系列，可以全自动测量晶锭和晶片中的铁浓度，并具有高分辨率。铁硼对解离前后的寿命测量是硅片铁含量测定中广泛应用的方法。在高掺杂浓度的硼掺杂硅中，当它用于光伏应用时，几乎100%的电活性铁以F

德国FreibergMDP非常适合以下两种方法，一是通过测量取决于注入量的少数载流子寿命来进行缺陷调查，二是用于在线测量的晶圆甚至晶锭的图形化。它在灵敏度、分辨率和速度方面超过了µPCD(微波检测光导衰减)和QSSPC(准稳态光导)。利用矩形激光脉冲激发前后的微波吸收，测量了与扩散长度密切相关的光电导率。图1显示了德国FreibergMDP和MD-PICTS测量的测量原理。图1.能

几年来，微电子行业正计划将晶圆片直径从300毫米(12英寸)扩大到450毫米(18英寸)，以获得更高的成品率。现在已经有了生产这种高质量晶圆片的技术，但只有调整晶圆厂的成本问题，仍然无法转移到更大的晶圆尺寸。这些450毫米晶圆片还需要检查外部和内部杂质，因此需要高度空间分辨寿命测量。在与FraunhoferIISB的合作中，FreibergInstruments在EC资助的SEA4KET项目中