MDpicts pro
高分辨率变温少子寿命测试仪

用于生产和研究实验室应用的MDpicts pro（高分辨率变温少子寿命测试仪系统）。全自动设备，以非接触、无破坏方式绘制材料的电输运特性。一般来说，MDpicts pro系统能够适用于各种不同材料和制备阶段的测量，范围从硅原料、裸晶圆到不同的制备阶段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半导体，可以研究电阻率高于0.3 Ωcm的单晶硅和多晶硅。重点是缺陷再发射、少数载流子寿命以及光电导率的温度相关测量。研究污染物和电活性晶体缺陷。
材料：MDpicts pro 能够对几乎所有半导体进行电学表征
碲镉汞｜碳化硅 | 化合物半导体 | 氧化物 | 宽带隙材料 | 钙钛矿| 外延层
[ HgCdTe | SiC | InP | ZnS | CdTe | GaAs | GaN | Ge ]and more
 
核心优势：
从窄禁带材料到宽禁带材料的全覆盖测试
实现材料缺陷的根本原因分析：无损、灵活且精准
空间分辨率高
同时具备瞬态μPCD和稳态MDP测量
可定制激光与光学集成方案，适配各类材料需求
原位新型低温恒温测试系统，
支持最大4英寸样品测试

技术规格

变温范围	83 ~ 350 K
样品尺寸	最大 4"晶圆片以及小晶圆片
电阻率	> 0.3 Ohm cm
导电类型	P型、N型
少子寿命范围	20 ns – 100 ms
可检测性能	寿命、光电导率、活化能等
激发	355 – 1550 nm
注：本产品所有信息可能会根据最新的研究和开发进行技术更改，恕不另行通知。

应用案例：

光束诱导电流（LBIC）
该过程基于对太阳能电池中局部电流（Isc）的测量，该电流通过激光诱导的方式产生

微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）
为研究半导体中的缺陷，温度依赖型方法（类似深能级瞬态谱（DLTS））已被广泛应用。

磷化铟（InP）中缺陷能级的研究
微波探测光致电流瞬态谱（MD-PICTS）是研究磷化铟（InP）中缺陷能级的理想方法。例如，对磷化铟的研究表明，退火过程中材料的缺陷含量会发生变化……