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MDpicts 微波探测光诱导电流瞬态谱仪

MDpicts
微波探测光诱导电流瞬态谱仪
图1. 与温度有关的载流子发射瞬态

 

灵敏度:对半导体材料电学缺陷有最高灵敏度
温度范围:液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰减常数范围:20纳秒到几毫秒
沾污检测:电学陷阱基本性能确定:激活能和陷阱的俘获截面,受温度和注入水平影响的少子寿命参数等

重复性:> 99.5%,测量时间:< 60分钟。液氮消耗:2升/次
灵活性:从365 nm 到1480nm,根据不同材料选择不同波长激发光源
可访问性:基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持
 图2. 不同缺陷的评价


从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。图3.Arrhenius曲线图
 



利用这种新型MDPpicts设备,可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。
Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究。  
   
图4. 不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱