MDpicts 微波探测光诱导电流瞬态谱仪
MDpicts
微波探测光诱导电流瞬态谱仪
图1. 与温度有关的载流子发射瞬态
灵敏度：半导体材料电学缺陷分析的高灵敏度
温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰减常数范围：20纳秒到几毫秒
沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2升/次
灵活性：从365 nm 到1480nm，根据不同材料选择不同波长激发光源
可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持
图2. 不同缺陷的评价
从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。
图3.Arrhenius曲线图
利用这种新型MDPpicts设备，可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。
Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半导体材料已成功采用了这种方法进行研究。 温度范围：液氮(77k)至500k。可选:液氦(4k)或更高温度
衰减常数范围：20纳秒到几毫秒
沾污检测：电学陷阱基本性能确定：激活能和陷阱的俘获截面，受温度和注入水平影响的少子寿命参数等
重复性：> 99.5%，测量时间：< 60分钟。液氮消耗：2升/次
灵活性：从365 nm 到1480nm，根据不同材料选择不同波长激发光源
可访问性：基于IP的系统允许来自世界任何地方的远程操作和技术支持
图2. 不同缺陷的评价从Arrhenius斜率(图3)可以确定活化能。
图3.Arrhenius曲线图利用这种新型MDPpicts设备，可在20~500k范围内测量温度依赖性的瞬态光电导。
图4. 不同温度的Cz-Si晶圆片的MD-PICTS图谱