近年来碳化硅材料的质量有了很大的提高，在大功率器件中碳化硅已成为硅的竞争对手。由于碳化硅是一种宽带隙半导体，与硅相比，它有许多优点。少数载流子寿命是关系半导体器件性能的基本参数之一，特别是SiC在高压器件中的应用。因此，有必要进行寿命检测，以获得某一器件的最佳性能。为了制造出最高成品率的SiC器件，需要一种具有高分辨率的材料表征方法，以及一种研究SiC缺陷来源的方法，以进一步提高SiC器件的质量。

SiC晶体

碳化硅晶体

微波检测光电导率(MDP)和光诱导电流瞬态光谱(MD-PICTS)两种无接触和无破坏的方法是表征材料质量和缺陷的理想方法。

德国Freiberg MDPmap结合紫外激发光(355 nm)是研究SiC少数载流子寿命空间不均匀性的理想工具，其下限为20 ns。

MD-PICTS测量使得温度依赖性的光电导率瞬态研究成为可能，从而可以确定缺陷激活能和俘获截面。使用MD-PICTS系统，可以用液氮浴低温恒温器测量到85 K，甚至可以用氦冷却系统测量到4 K。温度上限为800k，因此也可以研究深阱水平。有了额外的扫描选项，小样品(2 × 2厘米)可以在不同的温度进行扫描。

图3展示了一个MD-PICTS光谱，它具有两个检测到的缺陷能级，活化能分别为0.12 eV和0.22 eV。测量用MDpicts和液氮浴进行。

图1.4寸SiC晶圆片的少子寿命图

图2.4H-SiC样品的典型光电导瞬态

图3.具有两个陷阱水平的4H-SiC样品的MD-PICTS光谱